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內(nèi)存插在哪個(gè)插槽性能最好?

我要評(píng)論 2011/08/15 16:53:02 來源:綠色資源網(wǎng) 編輯:downcc.com [ ] 評(píng)論:0 點(diǎn)擊:279次

主板上的內(nèi)存插槽通常有4根,但是我們手里的內(nèi)存只有1~2根,這時(shí)候問題就來了,到底內(nèi)存插到什么位置,性能最好呢?這個(gè)問題似乎還真有點(diǎn)蛋疼,但是如果給內(nèi)存換個(gè)插槽,就能得到一定的性能提升,這樣不花錢的美事,而樂而不為呢?

關(guān)于測(cè)試:

測(cè)試使用的內(nèi)存為單根威剛游戲威龍DDR2 800,主板為微星P45 NEO3-FR,處理器為E2140超頻至3.2GHz,此時(shí)處理器外頻為400MHz,而內(nèi)存也剛好1:1分頻達(dá)到DDR2 800的頻率。操作系統(tǒng)為Win7 32位旗艦版。

測(cè)試過程中我們使用Sisoftware Sandra這款軟件獲得內(nèi)存的基準(zhǔn)性能,同時(shí)使用SuperPI來測(cè)試內(nèi)存的應(yīng)用性能。為了防止其他軟件對(duì)測(cè)試過程構(gòu)成干擾,測(cè)試使用剛安裝的純凈系統(tǒng),并且斷開網(wǎng)絡(luò)。

實(shí)測(cè)告訴你內(nèi)存插哪根插槽性能最好

插槽1:性能最佳

測(cè)試從最靠近處理器的這個(gè)插槽開始,這里出了一點(diǎn)小小的意外,由于先前內(nèi)存并沒有使用這個(gè)插槽,估計(jì)插槽內(nèi)部已經(jīng)開始氧化,裝上內(nèi)存后反復(fù)重啟,無法啟動(dòng)。最終通過清空BIOS等操作,才開機(jī)成功。從測(cè)試成績(jī)來看,這個(gè)插槽的帶寬相當(dāng)不錯(cuò),4KB讀寫速度也名列前茅,總體性能占優(yōu)。

整數(shù)帶寬浮點(diǎn)帶寬4KB讀寫512KB讀寫1MB讀寫64MB讀寫SuperPI

插槽14.774.78174.125039.733.820.532

插槽2:性能有一定下滑

當(dāng)換到第二根插槽后,內(nèi)存的基準(zhǔn)性能方面有一定變化,帶寬測(cè)試中總體水平有一定下滑,而在讀寫速度上,當(dāng)讀寫較大容量的數(shù)據(jù)時(shí),比如4MB、16MB等,內(nèi)存性能下滑比較明顯。SuperPI的成績(jī)幾乎沒什么變化。

整數(shù)帶寬浮點(diǎn)帶寬4KB讀寫512KB讀寫1MB讀寫64MB讀寫SuperPI

插槽24.754.79172.6450.2393.7220.344

插槽3:性能下滑明顯

當(dāng)內(nèi)存換到第三根插槽后,總體性能下滑就比較明顯了,即便是內(nèi)存帶寬部分,也有5%左右的下降。而在讀寫速度方面,雖然也有小幅下降,但趨勢(shì)并不明顯,和插槽1的成績(jī)差距較小。此時(shí)superPI 的成績(jī)有2%的降幅。

整數(shù)帶寬浮點(diǎn)帶寬4KB讀寫512KB讀寫1MB

插槽4:性能略微回升但仍不及插槽1的性能

在插槽4 中,內(nèi)存帶寬的測(cè)試成績(jī)同樣降低,但是幅度沒有插槽3 中那樣明顯,和在插槽2 中的情形相似。比較奇怪的是,內(nèi)存讀寫性能反而有所上升,無論是小容量數(shù)據(jù)還是大容量數(shù)據(jù),整體讀寫性能相對(duì)插槽一都有所提高。但是在SuperPI 的測(cè)試中,仍然不敵插槽1,比插槽1 慢了0.2秒。

總結(jié):內(nèi)存插靠近CPU 的插槽性能最佳

如果你手里只有一根內(nèi)存,那么通過這個(gè)測(cè)試,結(jié)果已經(jīng)非常明顯了。插槽1,也就是最靠近處理器的內(nèi)存插槽,性能是最佳的,相對(duì)于其他插槽大概有3%左右的提升。但是,如果選擇這個(gè)插槽,我們不得不面臨另一個(gè)問題:發(fā)熱。處理器工作時(shí)產(chǎn)生的熱量比較大,處理器散熱器吹出的熱風(fēng)更是直接吹到內(nèi)存上,插槽1 更加靠近處理器,也意味著內(nèi)存在這里溫度更容易上升。如果將處理器和內(nèi)存的距離稍微拉大一點(diǎn),情況顯然會(huì)有所改善。因此如果加上這方面的考慮,我們建議你選擇插槽4,盡管在這個(gè)插槽中,內(nèi)存帶寬會(huì)降低一點(diǎn),但是讀寫性能的提高能夠彌補(bǔ)這一點(diǎn)。

關(guān)鍵詞:內(nèi)存

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